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英國研發新一代革命性內存:10ns延遲、功耗僅有1%

2020-01-20 08:30:52 來源:快科技
2020年美光三星等公司會推出新一代的DDR5內存,最高速率可達6400Mbps,將逐步取代DDR4內存?,F在的DRAM內存技術還在升級,但是技術瓶頸也日趨明顯,研究人員正在尋找新的內存替代技術,英國就找到了新方向——全新內存延遲可低至10ns,功耗僅有現在1%。

多年來人們一直在尋求完美的“內存”芯片,它既需要低延遲、高帶寬,也要功耗低(不需要頻繁刷新),同時還得容量大,成本低,更重要的是具備斷電不損失數據的特性,可以說是NAND閃存及DRAM內存的完美體。

這么多要求,做起來可真不容易,Intel的傲騰內存是基于PCM相變內存技術的,在可靠性、延遲等問題上已經大幅領先現在的閃存,更接近DRAM內存芯片了,不過超越內存還達不到。

日前外媒報道稱,英國的研究人員找到了一種新型的“內存”,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁,用這些材料制成的NVDRAM非易失性內存具備優秀的特性,在同樣的性能下開關能量低了100倍,也就是說功耗只有現有DRAM內存的1%,同時延遲可低至10ns。

總之,這種新型材料制成的內存芯片具備三大特性——超低功耗、寫入不破壞數據、非易失性,其性能相比現在的DRAM內存倒是沒多大提升,10ns級別的延遲跟DDR4內存差不多,但是上面三條特性,尤其是非易失性就足夠讓“內存”革命了。

不過也沒法高興太早,英國研發人員現在只是找到了新一代III-V材料內存的理論方向,真正大規模制造這種內存還是沒影的事,就像是像傳了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一樣。



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