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投資200億美元對抗三星,臺積電打響3nm狙擊戰!

2020-01-21 12:38:01 來源:EETOP
在上周的說法會上,臺積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進產能擴增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會上臺積電沒有公布3nm工藝的情況,因為他們4月份會有專門的發布會,會公開3nm工藝的詳情。

臺積電的3nm工藝技術最終選擇什么路線,對半導體行業來說很重要,因為目前能夠深入到3nm節點的就剩下臺積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會放棄FinFET晶體管,轉向GAA環繞柵極晶體管技術。(參見:三星已攻克3nm關鍵GAA全能門技術!或將超越臺積電實現翻盤) 

具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE和3GAP,這兩種制程性能更好,但是第一代的GAA晶體管技術是3GAE。據官方表示,基于全新的GAA晶體管結構,三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

此外,MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生產。
在2019年的日本SFF會議上,三星還公布了3nm工藝的具體指標,與現在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。 


三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國,由于在7nm、5nm節點上都要落后于臺積電,所以三星押注3nm節點,希望在這個節點上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠,因此三星對3GAE工藝寄予厚望,最快會在2021年就要量產。
至于臺積電,在3nm節點他們也大舉投資,去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠,2020年會正式開工,不過技術細節一直沒有透露,尤其是臺積電是否會像是三星那樣選擇GAA晶體管或是會繼續改進FinFET晶體管,這兩種技術路線會影響未來很多高端芯片的選擇。  不管怎樣,臺積電與三星3nm的關鍵之戰已開啟。
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